- Suomi
-
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoa日本語SesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
E-mail:Info@YIC-Electronics.com
Läpimurto! Kioxia kehitti 170-kerroksisen NAND-muistituotteen
Japanilainen siruvalmistaja Kioxia on kehittänyt noin 170 kerrosta NAND-flash-muistia ja saanut tämän huipputeknologian yhdessä Micronin ja SK Hynixin kanssa.
Nikkei Asian Review kertoi, että tämä uusi NAND-muisti on kehitetty yhdessä yhdysvaltalaisen Western Digitalin kanssa, ja sen kirjoitusnopeus on yli kaksinkertainen Kioxian nykyiseen huipputuotteeseen (112 kerrosta) verrattuna.
Lisäksi Kioxia on myös onnistuneesti asentanut enemmän muistisoluja uuden NAND: n jokaiseen kerrokseen, mikä tarkoittaa, että se voi kutistaa sirua yli 30% saman kapasiteetin muistiin verrattuna. Pienemmät sirut mahdollistavat suuremman joustavuuden älypuhelinten, palvelimien ja muiden tuotteiden rakentamisessa.
On raportoitu, että Kioxia aikoo käynnistää uuden NAND: n käynnissä olevassa kansainvälisessä Solid State State Circuit -konferenssissa ja sen odotetaan aloittavan massatuotanto jo ensi vuonna.
5G-tekniikan lisääntyessä, laajemmalla ja nopeammalla tiedonsiirrolla Kioxia toivoo vastaavansa datakeskuksiin ja älypuhelimiin liittyvään kysyntään. Kilpailu tällä alalla on kuitenkin kiristynyt. Micron ja SK Hynix ovat ilmoittaneet 176-kerroksisesta NAND: sta ennen Kioxiaa.
Flash-muistin tuotannon lisäämiseksi Kioxia ja Western Digital aikovat rakentaa tänä keväänä 1 biljoonan jenin (9,45 miljardin dollarin) tehtaan Japanin Yokkaichiin. Heidän tavoitteenaan on avata ensimmäiset tuotantolinjat vuonna 2022. Lisäksi Kioxia on hankkinut monia tehtaita Kitakamin tehtaan viereen Japaniin, jotta se voi laajentaa tuotantokapasiteettia tarpeen mukaan tulevaisuudessa.
Lisäksi Kioxia on myös onnistuneesti asentanut enemmän muistisoluja uuden NAND: n jokaiseen kerrokseen, mikä tarkoittaa, että se voi kutistaa sirua yli 30% saman kapasiteetin muistiin verrattuna. Pienemmät sirut mahdollistavat suuremman joustavuuden älypuhelinten, palvelimien ja muiden tuotteiden rakentamisessa.
On raportoitu, että Kioxia aikoo käynnistää uuden NAND: n käynnissä olevassa kansainvälisessä Solid State State Circuit -konferenssissa ja sen odotetaan aloittavan massatuotanto jo ensi vuonna.
5G-tekniikan lisääntyessä, laajemmalla ja nopeammalla tiedonsiirrolla Kioxia toivoo vastaavansa datakeskuksiin ja älypuhelimiin liittyvään kysyntään. Kilpailu tällä alalla on kuitenkin kiristynyt. Micron ja SK Hynix ovat ilmoittaneet 176-kerroksisesta NAND: sta ennen Kioxiaa.
Flash-muistin tuotannon lisäämiseksi Kioxia ja Western Digital aikovat rakentaa tänä keväänä 1 biljoonan jenin (9,45 miljardin dollarin) tehtaan Japanin Yokkaichiin. Heidän tavoitteenaan on avata ensimmäiset tuotantolinjat vuonna 2022. Lisäksi Kioxia on hankkinut monia tehtaita Kitakamin tehtaan viereen Japaniin, jotta se voi laajentaa tuotantokapasiteettia tarpeen mukaan tulevaisuudessa.