- Suomi
-
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoa日本語SesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
E-mail:Info@YIC-Electronics.com
Kioxia Fab7 -tehdas aloitti rakentamisen! Rakentamisen ensimmäinen vaihe valmistuu ensi keväänä
25. helmikuuta Kioxia ilmoitti pitäneensä uraauurtavaa seremoniaa tehtaallaan Yokkaichissa, Mie Prefecture, Japani, ja virallisesti aloitti uransa edistyneimmällä puolijohdetehtaallaan (Fab7).
Lehdistötiedotteessa todettiin, että laitoksesta tulee yksi maailman edistyneimmistä tuotantolaitoksista, joka on omistautunut omistamansa 3D-flash-muistin BiCS FlashTM tuottamiseen. Uuden laitoksen rakentaminen jaetaan kahteen vaiheeseen, joiden ensimmäisen vaiheen on tarkoitus valmistua keväällä 2022.
Lehdistötiedotteessa todettiin, että laitoksesta tulee yksi maailman edistyneimmistä tuotantolaitoksista, joka on omistautunut omistamansa 3D-flash-muistin BiCS FlashTM tuottamiseen. Uuden laitoksen rakentaminen jaetaan kahteen vaiheeseen, joiden ensimmäisen vaiheen on tarkoitus valmistua keväällä 2022.
Uusi Fab7-tehdas on Kioxian ja Western Digitalin yhteisyritys. Se ottaa käyttöön iskuja vaimentavan rakenteen ja ympäristöystävällisen suunnittelun, mukaan lukien uusimmat energiaa säästävät valmistuslaitteet. Laitos parantaa edelleen Kioxian kokonaistuotantokapasiteettia ottamalla käyttöön AI: n edistyneen valmistusjärjestelmän.
Kioxia Fab7 -tehdas
Ennen tätä (20. helmikuuta) Kioxia ja Western Digital ilmoittivat, että osapuolet olivat tehneet yhteistyötä kuudennen sukupolven 162-kerroksisen 3D-flash-muistiteknologian kehittämisessä. Lehdistötiedotteessa todettiin, että tämä on kahden yrityksen tähän mennessä suurin tiheys ja edistynein 3D-muistitekniikka. Viidennen sukupolven tekniikkaan verrattuna vaakasuuntainen solutaulukon tiheys on kasvanut 10%. Verrattuna 112-kerroksiseen pinoamistekniikkaan tämä horisontaalinen skaalauksen edistyminen yhdessä 162-kerroksisen pystysuoran muistin kanssa vähentää sirun kokoa 40% ja optimoi kustannukset.
Kioxia sanoi, että se on luonut menestyksekkäästi yhteistyösuhteen Western Digitalin kanssa monien vuosien ajan ja toivoo jatkavansa investointeja Fab7-tehtaaseen, mukaan lukien kuudennen sukupolven 3D-flash-muistin luominen.
Ennen tätä (20. helmikuuta) Kioxia ja Western Digital ilmoittivat, että osapuolet olivat tehneet yhteistyötä kuudennen sukupolven 162-kerroksisen 3D-flash-muistiteknologian kehittämisessä. Lehdistötiedotteessa todettiin, että tämä on kahden yrityksen tähän mennessä suurin tiheys ja edistynein 3D-muistitekniikka. Viidennen sukupolven tekniikkaan verrattuna vaakasuuntainen solutaulukon tiheys on kasvanut 10%. Verrattuna 112-kerroksiseen pinoamistekniikkaan tämä horisontaalinen skaalauksen edistyminen yhdessä 162-kerroksisen pystysuoran muistin kanssa vähentää sirun kokoa 40% ja optimoi kustannukset.
Kioxia sanoi, että se on luonut menestyksekkäästi yhteistyösuhteen Western Digitalin kanssa monien vuosien ajan ja toivoo jatkavansa investointeja Fab7-tehtaaseen, mukaan lukien kuudennen sukupolven 3D-flash-muistin luominen.