Samsung soveltaa EUV-tekniikkaa DRAM-tuotantoon ensimmäistä kertaa

ZDnetin mukaan Samsung ilmoitti soveltuvansa EUV-tekniikkaa DRAM-tuotantoon.

Samsung on toimittanut miljoonan 10 nm DDR4 DRAM -moduulin, joka on valmistettu EUV-prosessin avulla, ja asiakkaat ovat arvioineet sen. Samsung sanoi, että arvioinnin valmistuminen valmistaa tietä uusien DRAM-laitteiden massatuotannolle ensi vuonna.

Samsungin EUV-vain V2-tuotantolinja Pyeongtaekin tehtaalla aloittaa DRAM-moduulien tuotannon vuoden jälkipuoliskolla. Tuotantolinjan odotetaan tuottavan 4. sukupolven 10 nm DDR5 ja LPDDR5.

Tämä on toinen siru, jonka Pyeongtaekin tuotantolaitos tuottaa 7 nm logiikkapiirien lisäksi EUV-tekniikkaa käyttämällä. Samsung väittää, että EUV-tekniikka kaksinkertaistaa yhden tuumaisen kiekon tuotantotehokkuuden.

Maailmanlaajuisten puolijohdevalmistajien, kuten Samsung, Intel ja TSMC, odotetaan laajentavan EUV-tekniikan käyttöä sirujen tuotannossa. Samsung on aiemmin ilmoittanut aikovansa käyttää EUV-tekniikkaa 3nm sirujen tuottamiseen.